به گزارش شفا آنلاین، محققان دانشگاه «جان هاپكینز» روشی را ابداع كردند كه در آن با استفاده از الماس، سرعت و مدتزمان نگهداری اطلاعات در سیستمهای ذخیرهسازی بهنحو چشمگیری افزایش مییابد.
در این روش جدید نوعی آلیاژ خاص متشكل از «ژرمانیوم»، «آنتیموان» و «تلاریوم» كه در ساخت حافظههای تغییر فاز كاربرد دارد، با الماس جایگزین میشود.
حافظههایی كه به این روش ساخته میشوند 100 برابر سریعتر از حافظههای فلش بوده و تا 100 هزار بار امكان بازنویسی اطلاعات را فراهم میكنند.
در حال حاضر شركت «آیبیام» و سایر شركتهای سختافزاری، این فناوری را برای تولید تراشههایی با قابلیت پنج میلیون بازنویسی مورد استفاده قرار میدهند.